| 报告题目： |
太赫兹超材料 – 概念及应用 |
| 报告人： |
胡方靖 |
| 报告人单位： |
诺丁汉大学(宁波) |
| 报告时间： |
2017年4月14日14:00 |
| 报告地点： |
引力中心三楼会议室 |
| 报告摘要： |
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太赫兹频段是电磁频谱上最后一块未被彻底开发的领域。究其原因，主要是基于电子学及光子学的方法均无法在太赫兹频段内提供品质较高的固态源，从而形成了所谓的’THz Gap’。过去数十年，随着设计方法及制造工艺的提高，太赫兹源在输出功率，线性度及带宽等方面得到了长足的进步，使得太赫兹技术在实际生活中的应用成为了可能。
太赫兹系统不但需要源和探测器，也需要其他如滤波器，调制器，透镜等器件的支持。然而，传统材料在太赫兹频段的衰减较大，并且不具备可扩展性。因此，在太赫兹频段，很多种类的器件的发展并不完善。超材料作为一种人工设计的电磁材料，进入了人们的视野。本次报告中，报告人首先将介绍超材料的概念以及其在太赫兹频段内的适用性；并通过对不同类型的太赫兹超材料的介绍，体现出超材料对于太赫兹波的有效的控制及操控；最后，报告人分析了太赫兹超材料的发展趋势，以及几种基于MEMS的太赫兹超材料。 |
| 报告人简介： |
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胡方靖，2015年毕业于伦敦帝国理工学院，获博士学位。现任诺丁汉大学(宁波)电气与电子工程系助理教授及帝国理工学院访问学者。主要从事太赫兹技术，超材料，微波射频技术等研究工作。发表SCI/EI论文10余篇，撰写专著1章节，并多次在国际会议上进行受邀报告。其博士论文获得2015年帝国理工学院最佳博士论文Eryl Cadwaladr Davies Prize。 |
