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报告题目： |
探索光电子材料与微纳结构暨器件的奥秘 |
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报告人： |
馮哲川(Zhe Chuan FENG） 杰出教授 Distinguished Professor |
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报告人单位： |
广西大学 物理科学与工程技术学院 College of Physics Science & Technology, Guangxi University, Nanning. |
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报告时间： |
4月17日 （周一）下午3点半 |
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报告地点： |
金沙8888js官方 科技楼北 410 |
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报告摘要： |
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冯哲川教授自2015年3月于广西大学 物理科学与工程技术学院，任杰出教授.建立并领导光电子材料与探测技术实验室(依托广西相对论天体物理重点实验室).兹愿向金沙8888js官方教授,老师和学生们报告及介绍其近2年的工作及实验室-团队建设和初步成果,探索光电子材料与微纳结构暨器件的未知世界。冯哲川杰出教授团队目前工作在半导体物理与光电技术领域,着重于研究第三代宽禁带半导体及相关材料与微纳结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术，外延生长及光电子学特性、LEDs、基于宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控，及其在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用。實驗室平臺建設，在近2年時間已建立起多套的新光電子材料的光譜檢測設備:例如，寬光譜全穆勒矩陣橢偏光譜儀(193-1700nm);微區拉曼與光致熒光光譜儀;深紫外微區外光路拉曼與光致熒光譜儀;時間分辨螢光光譜儀;光調製反射譜儀;光致熒光激發譜儀;深紫外-红外吸收譜儀;深紫外-可見雷射器(261，266,360,376,405,457,532,561,671，785nm)及10-300K和77-870K低溫變溫光學測試系統等。能進行較完善的先進光電子材料的寬光譜範圍及低溫和變溫的測試及研究。並結合同步輻射X-光吸收、盧瑟福背散射、X-光電子能譜技術、電腦理論模擬等深入研究各種寬禁帶和化合物半導體材料與奈米結構，特別是深紫外太陽光盲材料的基本物理特性。團隊目前包括4名教授、3名講師、1名研究助理和12名研究生，並希望招收新的博士後、講師、教授等,及邀请教授们进行休假研究或短期研究等合作。
着重于应用椭偏、拉曼、光致荧光、时间分辨光致荧光技术,并结合同步辐射X-光吸收、卢瑟福背散射、X-光电子能谱技术、计算机理论仿真等深入研究各种宽禁带和化合物半导体材料与结构(AlInGaN & QWs,SiC, ZnO-)，特别是深紫外太阳光盲材料的基本物理特性。希望对以上复合材料的改进提供贡献，探索不同的长晶方法，研究生长过程的缺陷和问题，深入其物理机制和了解光学及结构实验上的发现，探索新路径以控制生长过程中产生的缺陷，以制成高质量的氮化物、氧化物、碳化硅和其他磊晶材料和器件。
[1] Zhe Chuan Feng ed., III-Nitride Devices and Nanoengineering (2008), III-Nitride Semiconductor Materials (2006), Imperia College Press, London.
[2] Zhe Chuan Feng ed., SiC Power Materials – Devices and Applications, Springer, Berlin, 2004.
[3] Zhe Chuan Feng ed., Handbook of Zinc Oxides and Related Materials: Vol. 1 Materials, Vol. 2 Devices and Nano-Engineering, CRC, Taylor & Francis, London/New York, 2012.
[4] Zhe Chuan Feng ed., III-Nitride Mterials, Devices and Nanostructures, ISBN: 978-1-78634-318-5, 11-Chapters, 410-pp, World Scientific Publishing, Singapore, 2017.
[5] Zhe Chuan Feng ed., Handbook of Solid-State Lighting and LEDs, CRC press, Taylor & Francis, 24-Chapters, 705 pp, ISBN 9781498741415, 2017. |
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报告人简介： |
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馮哲川教授,獲得學士/碩士(1968/1981,北京大學),博士(1987,匹茲堡大學-美國), 1988-2003工作于Emory大學(美),新加坡國立大學,EMCORE公司(美),材料工程研究院(新加坡),喬治亞理工學院;2003.8-15.1臺灣大學。2015年2月自臺灣大學光電所暨電機系(任教授11年後)退休，即受聘于廣西大學 物理科學與工程技術學院，任傑出教授.建立並領導光電子材料與探測技術實驗室(依託廣西相對論天體物理重點實驗室)。至今他編輯出版了高效能複合半導體及顯微結構，多孔矽，III族氮化物半導體，III族氮化物元件，氧化鋅，固態照明/LED及III族氮化物和奈米工程領域的11-本英文專書，發表過650多篇學術論文(超過250篇SCI收錄)並被引用超過3,800次。從事於化合物和寬能隙半導體研究30多年。成果多且傑出，在國際寬能隙半導體研究領域有重要貢獻和影響。其許多寬能隙及化合物半導體論文被廣泛引用，多篇單篇他引超100多次。馮教授榮膺2013 SPIE Fellow。他受邀擔任華中科技大學、四川大學、南京工業大學、華南師師範大學、南開大學、天津師範大學的訪問客座教授。 |
