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学术报告(20170327)纳米材料研究与器件开发的新技术路线—Nano-X
发布时间:2017-03-27



报告题目: 纳米材料研究与器件开发的新技术路线—Nano-X
报告人: 丁孙安研究员
报告人单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
报告时间: 2017年3月27号上午10:30
报告地点: 科技楼北410
报告摘要:  
  随着纳米器件尺度的进一步缩小,材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大,而目前的制造技术却很难解决大气环境(特别是氧、碳、水气)在工艺过程中对材料表面的不利影响。另一方面,纳米新材料的不断涌现,应用基础研究和器件工艺开发越来越重要,迫切需要将从材料到器件各个阶段的研究和开发紧密结合起来,创新研究手段,突破技术难题。
中科院苏州纳米所在建的纳米真空互联实验站(Nano-X)将开创一条新的科学研究和技术开发路线。它不但要建立一个全真空环境,最大限度排除大气的不利影响,而且把材料生长、器件工艺、测试分析的各种设备有机互联在一起,提供从基础研究到产业化的全链条支撑。这就可以更有效的探索材料、器件的本征性质,开发材料、新工艺、新器件,大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。试验站的建设方案将包括若干具有综合功能的材料生长、表征测试、及器件工艺开发的模块,相互关联,互为支撑,从而可以在同一系统内、真空或可控环境下进行:1)纳米材料的生长和各种性质的测量与分析;2)异质结的表面与界面特性分析;3)材料的位错和缺陷分析;4)表面态与能带结构分析;5)关键工艺机理研究;6)新工艺技术开发;7)纳米器件加工的精确控制等。Nano-X是一个开放的平台,面向国内外的科学家与研究团队。其变革性的研究方法与技术可以支撑众多学科的交叉融合、突破创新。目前项目的建设已经取得很大进展,可以同步开展一些研究工作,已经完成小型验证装置。
报告人简介:  
  丁孙安:1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位;1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作,又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作。2000年后转入工业界,先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。2014年加入中科院苏州纳米所,研究员、博士生导师,担任纳米真空互联实验站副总指挥。真空互联试验站是一个目前世界上规模最大的,集材料生长、测试分析、器件工艺于一体的综合科学实验与技术开发的开放平台。丁孙安博士获2014年苏州工业园区高科技领军人才称号;2015年江苏省双创人才,及苏州园区双百领军人才。
主要研究领域:半导体薄膜材料与器件物理,材料表征与测试,表面与界面分析,真空技术与应用。

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